現(xiàn)在市面上好的太陽(yáng)膜制造工藝多半兩種，一種是真空蒸發(fā)鍍膜工藝，一種是磁控濺射工藝。

太陽(yáng)膜制造工藝分類：

1.真空蒸發(fā)鍍膜法太陽(yáng)膜制造工藝就是在1.310-2~1.310-3Pa(10-4~10-5Torr)的真空中以電阻加熱鍍膜材料，使它在極短的時(shí)間內(nèi)蒸發(fā)，蒸發(fā)了的鍍膜材料分子沉積在基材表冇上形成鍍膜層。真空鍍膜室是使鍍膜材料蒸發(fā)的蒸發(fā)源，還有支承基材的工作架或卷繞裝置都是真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的主要部分。鍍膜室的真空度，鍍膜材料的蒸發(fā)熟練地，蒸發(fā)距離和蒸發(fā)源的間距，以及基材表面狀態(tài)和溫度都是影響鍍膜質(zhì)量的因素。

2.磁控濺射法太陽(yáng)膜制造工藝是指電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，最終沉積在基片上。

磁控濺射太陽(yáng)膜制造工藝的特點(diǎn)是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點(diǎn)是在陽(yáng)極基片和陰極靶之間加一個(gè)直流電壓，陽(yáng)離子在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材，因?yàn)槿绻墙^緣體靶材，則由于陽(yáng)粒子在靶表面積累，造成所謂的靶中毒，濺射率越來(lái)越低。

磁控濺射法與蒸發(fā)法太陽(yáng)膜制造工藝相比，具有鍍膜層與基材層的結(jié)合力強(qiáng)，鍍膜層致密，均勻等優(yōu)點(diǎn)。真空蒸發(fā)鍍膜法需要使金屬或金屬化合物蒸發(fā)氣化，而加熱溫度又不能太高，否則氣相蒸鍍金屬會(huì)燒壞被塑料基材，因此，真空蒸鍍法一般僅適用于鋁等熔點(diǎn)較低的金屬源，是目前應(yīng)用較為廣泛的真空鍍膜工藝。相反，噴濺鍍膜法利用高壓電場(chǎng)激發(fā)產(chǎn)生等離子體鍍膜物質(zhì)，適用于幾乎所有高熔點(diǎn)金屬，合金、非金屬及金屬化合物鍍膜源物質(zhì)，如鉻，鉬，鎢，鈦，銀，金等。而且它是一種強(qiáng)制性的沉積過(guò)程，采用該法獲得的鍍膜層與基材附著力遠(yuǎn)高于真空蒸發(fā)鍍法，鍍膜層具有致密，均勻等優(yōu)點(diǎn)，加工成本也相對(duì)較高。

兩種太陽(yáng)膜制造工藝，其光學(xué)性能也有差別。太陽(yáng)膜的光學(xué)性能，主要是紫外線阻隔率，紅外線阻隔率和可見(jiàn)光透過(guò)率。不管是那種工藝，都可以用全波段太陽(yáng)膜測(cè)試儀來(lái)測(cè)量其光學(xué)參數(shù)。